GISETCH?刻蝕技術(shù) 當(dāng)前位置:主頁 > 技術(shù)說明 > GISETCH?刻蝕技術(shù)
① 在涂層前，利用GIS氣體離子源將氬氣和氫氣離化，產(chǎn)生的氣體離子（Ar+和H+）在偏壓作用下，對(duì)產(chǎn)品表面進(jìn)行刻蝕清洗；
② 在涂層中，利用GIS氣體離子源將氬氣、氮?dú)?、氧氣等反?yīng)氣體離化，輔助濺射或電弧沉積；
GISETCH®的優(yōu)點(diǎn)如下：
① 氣體等離子體能量范圍寬，可強(qiáng)可弱，適用于各種類型的工件；
② 有效去除表面氧化層，刻蝕清洗效果更徹底，膜基結(jié)合力好；
③ 輔助沉積，有利于涂層致密性、改善鍍膜均勻性；
京公網(wǎng)安備 11010502053715號(hào)